物理光學綜合實驗  型號：RLE-ME03

是光學與光學工程專業的主要理論基礎，本實驗以光的波動性為主要研究對象，從電磁波理論和傅里葉分析兩個角度，研究光的傳播、干涉、衍射、偏振等性質。RealLight®應用新一代空間光調制器(SLM)，從波的疊加原理出發研究光的干涉規律，討論光的相干性；圍繞衍射闡述光的波動性，運用SLM模擬二元光學元件，從實際出發研究光的衍射；研究光在晶體中的傳播特性和偏振元件對光的作用。本實驗是緊貼光電專業《工程光學》等相關課程的專業配套實驗。

實驗內容

1、楊氏雙縫干涉實驗；

2、馬赫-曾德干涉實驗；

3、菲涅爾衍射實驗（圓孔、矩孔、三角形、多邊形孔）；

4、夫瑯禾費衍射實驗（圓孔、矩孔、三角形、多邊形孔）；

5、衍射光學元件（DOE）設計；

6、偏振光產生與檢驗（線偏振、圓偏振、橢圓偏振）                          

7、馬呂斯定律驗證實驗；           

8、波片與偏振光實驗（左旋偏振光、右旋偏振光）                            

9、偏振干涉實驗（波片的快軸、慢軸）

物理光學綜合實驗

產品名稱：雜質濃度測試儀 產品型號： KDB-1A

產品簡介 
原理：根據硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質濃度的關系，可直接測量、計算出晶體內的雜質濃度。  
范圍：它適合于測量橫截面尺寸是可測量的，而且棒的長度大于橫截面線度的有規則的長棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。  
用途：根據測量沿錠長雜質濃度的分布狀況決定產品的合格部分，通過雜質濃度的直接測量，決定晶體生長過程中的摻雜數量。  
樣品可在常溫或低溫下測量。  
顯示方式：儀器連接PC機，通過測試軟件計算，用對數坐標的方式來顯示雜質濃度（含次方數）沿錠長的分布曲線，可對曲線圖進行打印和保存。  
測量范圍： 可測晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm。  
直流數字電壓表測量范圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。

產品名稱：材料高溫綜合物性測試儀 產品型號： SQW-II-14

材料高溫綜合物性測試儀型號： SQW-II-14

 本儀器無機金屬材料高溫、常溫綜合性能的測定，也模擬液態金屬向鑄型中澆注的真況所進行的造型混合料高溫性能試驗。  
    本儀器主要是供科研單位，高等工科院校和工廠試驗測量無機非金屬材料、造型混合料高溫性能之用，主要可在室溫～1400℃范圍內作下列試驗。  
    高溫下試樣的熱膨脹、 高溫抗壓強度、試樣的熱膨脹力、固定載荷下試樣的熱變形、殘留強度、常溫抗壓強度。  
    主要技術參數  
    1．試樣標準：Ф30×50㎜圓椎體。  
    2．負荷范圍：0～28.29MP（0～2000㎏）。  
    3．測定變形范圍：0～±5㎜顯示分辯0.01㎜。  
    4．加熱溫度范圍：正常工作溫度≥室溫～1350℃，短時間達1400℃  
    5．測力精度：＜±1%FS。  
    6．測變形精度＜±1%FS。  
    7．升溫速度：用戶設定，等速升溫，程序控制，兩個程序段。  
    8．硅碳管高溫爐參數:爐堂尺寸Ф50㎜。電爐功率2.5kw。  
    9．加載速度：0.8～8㎜/分  手動調節。  
    10．儀器主體：長×寬×高=720×500×1644㎜； 控制柜：臺式、立式兩種；  
    11．整機重：500㎏；整機功耗：＜3kw。  
    12．工作條件。環境溫度：0～40℃  相對濕度＜85﹪RH。電源：交流單相220V±10﹪50HZ。無強磁干擾，無強列振動，無腐蝕氣體，要求供電系統可靠接地。  
    13. 可上網實現網絡在線遠程技術支持及遠程測控和傳輸